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NXP Semiconductors
PESD5V0V1BLD
Very low capacitance bidirectional ESD protection diode
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 2.
8/20 μ s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 3.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
V RWM
I RM
V BR
C d
Parameter
reverse standoff voltage
reverse leakage current
breakdown voltage
diode capacitance
Conditions
V RWM = 5 V
I R = 5 mA
f = 1 MHz;
Min
-
-
5.8
-
Typ
-
<1
6.8
11
Max
5
10
7.8
13
Unit
V
nA
V
pF
V R = 0 V
V CL
r dyn
clamping voltage
dynamic resistance
I PP = 4.8 A
I R = 10 A
[1]
[2]
-
-
-
0.2
12.5
-
V
Ω
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Non-repetitive current pulse, Transmission Line Pulse (TLP) t p = 100 ns; square pulse;
ANS/IESD STM5.1-2008.
PESD5V0V1BLD
Product data sheet
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Rev. 1 — 7 December 2010
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
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